IPD034N06N3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD034N06N3GATMA1 מאת Infineon ו BSC076N06NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPD034N06N3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm 7.6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] ±20 V
מארז PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +150C
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free green finish) —
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
RoHS Compliance — Compliant
נטול הלוגנים — Yes (per Infineon product page)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר