IPD034N06N3GATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD034N06N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD30N10S3L34ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD034N06N3GATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free green finish) —
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Product Family — OptiMOS-T2
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں