IPD038N06NF2SATMA1 vs BSC050NE2LSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD038N06NF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC050NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD038N06NF2SATMA1 IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD038N06NF2SATMA1 BSC050NE2LSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS 25V (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.85 mΩ max —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Typical Gate Charge (Qg) at VGS=10V 68 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6700 pF —
Output Capacitance (Coss) 670 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 43 pF —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 107 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Channel Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 25 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 58 A
Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C — 39 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5 mOhm
R_DS(on) typical at V_GS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 28 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں