IPD60R360P7ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R360P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD60R360P7ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | OptiMOS 3 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | ±20 V (max) | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 9 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_D,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 360 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C | 41 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +150°C | -55 C to +175 C |
| Storage Temperature | -55°C to +150°C | — |
| پیکیج / کیس | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ | 3.5 V (typ) | — |
| ESD Protection (HBM) | >2 kV (per datasheet) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD20) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Qualification | Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |