IPG16N10S461AATMA1 vs BSC0906NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG16N10S461AATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0906NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPG16N10S461AATMA1 | BSC0906NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Type | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Technology | OptiMOS™ trench | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 16 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | 61 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 29 W (T_C = 25°C) | — |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual, separate) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | -55C to +150C (junction, typical) |
| پیکیج | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Terminal Count | 8 | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 63 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 30 W |
| RDS(on) max (typical reference) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |
| پن کی تعداد | — | 8 |