IPL60R085P7AUMA1 vs BSC076N04NDATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPL60R085P7AUMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPL60R085P7AUMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 39 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) | 24 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 85 mΩ at VGS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | 4 V (max, typical) |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 154 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -40 °C to +150 °C | -55 C to +175 C |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| ESD Robustness (HBM) | >2 kV (all pins) | — |
| Technology | CoolMOS P7 superjunction (7th generation) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| پیکیج | PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC industrial | — |
| Polarity | N-channel | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| پیکیج / کیس | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |