IPL60R105P7AUMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPL60R105P7AUMA1 بذریعہ Infineon اور IPD80R600P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPL60R105P7AUMA1 | IPD80R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | CoolMOS P7 super-junction |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 800 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 22 A |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| پیکیج | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 8 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 600 mΩ at VGS=10V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 60 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V (typical) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | — | 20 mJ |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | — | 0.17 mJ |
| Polarity | — | N-Channel |