IPT067N20NM6ATMA1 vs ISC0805NLSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT067N20NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC0805NLSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 - 200V 137A OptiMOS 6 Power MOSFET | Infineon

IPT067N20NM6ATMA1 - 200V 137A OptiMOS 6 Power MOSFET | Infineon

IPT067N20NM6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC0805NLSATMA1 ISC0805NLSATMA1 - 100V 71A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC0805NLSATMA1 - 100V 71A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC0805NLSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPT067N20NM6ATMA1 ISC0805NLSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS™ 5
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 137 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C
Technology Trench-gate OptiMOS 6 silicon —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
On-Resistance RDS(on) typ [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Configuration Single N-channel —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 71 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 74 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.3 V
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V — 16 nC
Input Capacitance Ciss — 2.2 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 23 pF
Output Capacitance Coss — 360 pF

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں