IPT067N20NM6ATMA1 vs ISC0805NLSATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPT067N20NM6ATMA1 מאת Infineon ו ISC0805NLSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 - 200V 137A OptiMOS 6 Power MOSFET | Infineon

IPT067N20NM6ATMA1 - 200V 137A OptiMOS 6 Power MOSFET | Infineon

IPT067N20NM6ATMA1 ✓ פעיל
Infineon
ISC0805NLSATMA1 ISC0805NLSATMA1 - 100V 71A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC0805NLSATMA1 - 100V 71A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC0805NLSATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPT067N20NM6ATMA1 ISC0805NLSATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS™ 5
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 137 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מארז PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6)
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C
Technology Trench-gate OptiMOS 6 silicon —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
On-Resistance RDS(on) typ [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Configuration Single N-channel —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 71 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 74 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.3 V
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V — 16 nC
Input Capacitance Ciss — 2.2 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 23 pF
Output Capacitance Coss — 360 pF

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר