IQD016N08NM5ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQD016N08NM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC011N04NM7VATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQD016N08NM5ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 323 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.6 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| پیکیج | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 Power-MOSFET | Trench MOSFET, silicon |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |
| MSL لیول | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |