IQE008N03LM5ATMA1 vs ISC009N06LM5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE008N03LM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC009N06LM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE008N03LM5ATMA1 | ISC009N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 253 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Typical | 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 89 W | — |
| پیکیج | PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) | -55 C to +175 C |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V (typical MOSFET rating) | — |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per LCSC listing) | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 41 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 348 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 0.9 mOhm |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 214 W |