IQE018N06NM6CGATMA1 vs IQE018N06NM6SCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE018N06NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE018N06NM6SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE018N06NM6CGATMA1 | IQE018N06NM6SCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 178 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 25 A | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.3 V (logic-level compatible) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) | PG-WHSON-8-1 (5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 60 V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 178 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.8 mΩ at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | 3.3 V |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 125 W |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |