IQE018N06NM6SCATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE018N06NM6SCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE018N06NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE018N06NM6SCATMA1 IQE018N06NM6SCATMA1 - 60V 1.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6SCATMA1 - 60V 1.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6SCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE018N06NM6SCATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 60 V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 178 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.8 mΩ at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ 3.3 V —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 125 W —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج PG-WHSON-8-1 (5x6 mm) PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C (junction)
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 178 A
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 25 A
R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 1.8 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.3 V (logic-level compatible)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
Technology — Trench MOSFET, OptiMOS 6
RoHS Compliance — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں