IRF3205ZSTRLPBF vs IRFB3207ZPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF3205ZSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFB3207ZPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF3205ZSTRLPBF IRFB3207ZPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 110 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6.5 mOhm 4.1 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55 C to +175 C
پیکیج D2PAK (TO-263) TO-220AB (3-lead through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (left reel) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول 1 N/A (through-hole)
Body Diode Avalanche-rated intrinsic —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں