IRF4905LPBF vs IRF3205STRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF4905LPBF بذریعہ Infineon اور IRF3205STRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF - 55V 110A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205STRLPBF - 55V 110A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205STRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF4905LPBF IRF3205STRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 390 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C 200 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Rise Time (tr) typ [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (tf) typ [DATA_NEEDED: fall time] —
پیکیج TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin TO-263-3 (D2PAK)
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (advanced process)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PbF suffix) —
Avalanche Rated Yes —
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 110 A
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) — 8 mΩ max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 97.3 nC typical
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 200 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C (Tj)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (STRL)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں