IRF4905PBF vs IRF9Z34NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF4905PBF بذریعہ Infineon اور IRF9Z34NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF4905PBF IRF9Z34NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC 200 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 20 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (junction) -55C to +175C (junction)
پیکیج TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Pin Configuration Gate - Drain - Source (left to right) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
MSL لیول 1 (not moisture-sensitive for TO-220) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -19 A
Pulsed Drain Current (Idm) — -72 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 100 milliohm (typical)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 23.3 nC (per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Pinout (G-D-S) — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PBF suffix)
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں