IRF4905PBF vs IRF9Z34NPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF4905PBF מאת Infineon ו IRF9Z34NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF4905PBF IRF9Z34NPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC 200 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 20 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C (junction) -55C to +175C (junction)
מארז TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Pin Configuration Gate - Drain - Source (left to right) —
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
רמת MSL 1 (not moisture-sensitive for TO-220) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -19 A
Pulsed Drain Current (Idm) — -72 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 100 milliohm (typical)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 23.3 nC (per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Pinout (G-D-S) — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PBF suffix)
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר