IRF5305STRLPBF vs IRFU5305PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF5305STRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFU5305PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF5305STRLPBF IRFU5305PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] —
RDS(on) max at VGS=-10V 60 mOhm —
RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) 42 nC (typical)
Maximum Power Dissition at Tc 110 W —
Maximum Power Dissipation at TA 3.8 W —
پیکیج TO-263 / D2PAK (surface mount) IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] —
Technology HEXFET (fifth generation), IR MOSFET —
Packaging Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix PBF) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -110 A (pulsed)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 65 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 110 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.36 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 62 °C/W
Avalanche Rated — Yes (EAS rated)
RoHS Compliance — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں