IRF7205TRPBF vs IRF7342TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7205TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7342TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7205TRPBF IRF7342TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (4th generation) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 2.5 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C —
پیکیج SO-8 (8-SO) 8-SOIC (SO-8), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape and Reel (TR)
Part Number — IRF7342TRPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Configuration — Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package)
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) — -3.4 A at 25 C
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.105 ohm max at VGS = -10 V
Maximum Power Dissumption (Pd) — 2 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C (Tj)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Channel Type — P-Channel (enhancement mode)
Number of Channels — 2 (dual array)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں