IRF7319TRPBF vs IRFR1205TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7319TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR1205TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7319TRPBF IRFR1205TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Type Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel) —
Technology IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current N-channel (ID) 6.5 A —
Continuous Drain Current P-channel (ID) 4.9 A —
RDS(on) Max N-channel 29 mOhm (per Infineon product page) —
RDS(on) Max P-channel [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max] —
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch 120 C/W (steady state) —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch 110 C/W (steady state) —
Package Type 8-SOIC (SO-8) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 2 V min, 4 V max
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = Pb-free) —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Configuration N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
پیکیج — TO-252AA (DPAK)
RoHS اسٹیٹس — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں