IRF8736PBF vs IRF8736TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF8736PBF بذریعہ Infineon اور IRF8736TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF8736PBF IRF8736TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=70°C [DATA_NEEDED: ID at TA=70°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 4.8 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 6.0 mΩ (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (optimized for 5 V drive) —
Total Gate Charge Qg 17 nC (typical) —
Maximum Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C (junction) -55C to +150C (junction)
پیکیج SO-8 (8-SO) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (Unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / Lead-Free Lead-Free, RoHS3 Compliant —
Qualification Standard JEDEC —
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage and current) Yes (fully characterized avalanche voltage)
FET Type — N-Channel
Technology — StrongIRFET / HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں