IRFB4020PBF vs IRFB3207ZPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB4020PBF بذریعہ Infineon اور IRFB3207ZPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFB4020PBF IRFB3207ZPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت 175 C (max) -55 C to +175 C
پیکیج TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-lead through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
MSL لیول — N/A (through-hole)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں