IRFB4020PBF vs IRFB3207ZPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB4020PBF מאת Infineon ו IRFB3207ZPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFB4020PBF | IRFB3207ZPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 100 W | — |
| RDS(on) Maximum | 100 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | 20 V | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 1.43 C/W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | 175 C (max) | -55 C to +175 C |
| מארז | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (3-lead through-hole) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through Hole |
| מספר פינים | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead-Free (PbF suffix) | Yes | — |
| Market Qualification | Consumer | — |
| Recommended Use | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRFB3207ZPBF |
| Series | — | HEXFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 120 A |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 170 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.1 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free) |
| רמת MSL | — | N/A (through-hole) |
| Avalanche Rated | — | Yes (improved Z-variant ruggedness) |