IRFR3710ZTRPBF vs IRFR3710ZTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR3710ZTRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR3710ZTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) MOSFET (Metal Oxide), HEXFET
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Drain to Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) — 42 A
Max Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V — 18 mOhm
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 69 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
Avalanche Energy Rating (EAS) — 150 mJ
Maximum Junction Temperature — 175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Lisleapex listing)
Configuration — Single with built-in diode
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 C to +175 C (TJ)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں