IRFR3806TRPBF vs IRFR3607TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR3806TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR3607TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR3806TRPBF IRFR3607TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC 56 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
پیکیج / کیس TO-252AA (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET (planar DMOS)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention)
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 56 A
Calculated Die Drain Current — 80 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 140 W
Thermal Resistance (RthJC) — 1.0 C/W
پیکیج — TO-252AA (DPAK)
Avalanche SOA — Fully characterized
RoHS / Lead-Free — Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں