IRFR4620TRLPBF vs IRFR220NTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR4620TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR220NTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR4620TRLPBF IRFR220NTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V —
Gate Charge (Qg) 25 nC typical —
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc —
Technology IR MOSFET —
پیکیج / کیس TO-252AA (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +175C —
Lead Free Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
MSL لیول 1 (Unlimited) 1
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 5 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.800 ohm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — Low (per datasheet - HEXFET design)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 43 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction)
پیکیج — TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63
Packaging — Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Technology Family — HEXFET, Planar, Generation 3

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں