IRFR5305TRPBF vs IRF5305PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR5305TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF5305PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR5305TRPBF IRF5305PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-220AB (through-hole, 3-pin + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 110 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 60 mOhm (typical)
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V ID=-16A — [DATA_NEEDED: max RDS(on) at -10V]
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC (typical)
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Turn-On Delay Time (td(on)) — [DATA_NEEDED: td(on)]
Turn-Off Delay Time (td(off)) — [DATA_NEEDED: td(off)]
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Lead-Free Plating (PBF suffix) — Yes (Pb-free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں