IRFS52N15DTRLP vs IRFS52N15DPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFS52N15DTRLP بذریعہ Infineon اور IRFS52N15DPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK

IRFS52N15DTRLP - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK

IRFS52N15DTRLP ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (Planar Cell)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 150 V —
Continuous Drain Current (Id) @ TC = 25 C 51 A (Tc) —
Continuous Drain Current (Id) @ TC = 100 C 36 A (Tc, estimated) —
Continuous Drain Current (Id) @ TA = 25 C 60 A (Ta, datasheet) —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS = 10 V 32 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V (typical 3 V) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge in nC] 60 nC (typical)
Gate-to-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd in nC] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss in pF] [DATA_NEEDED: Ciss]
Power Dissipation (Pd) @ TC = 25 C 230 W (Tc) —
Power Dissipation (Pd) @ TA = 25 C 3.8 W (Ta) —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC in C/W] —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA in C/W] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (junction) —
پیکیج D2PAK (TO-263) surface mount D2PAK (TO-263) Surface Mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) + tab —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes (matte tin) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for D2PAK) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 51 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
RDS(on) max @ VGS=10V — 32 mOhm
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 230 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Qualification Standard — JEDEC
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں