IRLL2705TRPBF vs IRLL024NTRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLL2705TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLL024NTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRLL2705TRPBF | IRLL024NTRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | HEXFET Power MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | 10.4 nC |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 deg C to +175 deg C | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پیکیج | SOT-223 | SOT-223 (4-pin) |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement Mode |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 3.1 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 4.4 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.065 ohm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic Level (5 V drive capable) |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 1.0 W |
| Maximum Operating Junction Temperature | — | 175 C |