IRLL2705TRPBF vs IRLL024NTRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLL2705TRPBF מאת Infineon ו IRLL024NTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRLL2705TRPBF | IRLL024NTRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | HEXFET Power MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | 10.4 nC |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 deg C to +175 deg C | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז | SOT-223 | SOT-223 (4-pin) |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement Mode |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 3.1 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 4.4 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.065 ohm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic Level (5 V drive capable) |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 1.0 W |
| Maximum Operating Junction Temperature | — | 175 C |