IRLR2705TRLPBF vs IRFR1205TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR2705TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR1205TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR2705TRLPBF IRFR1205TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET (HexFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 28 A 44 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 40 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V +/- 20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C 68 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
Technology IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Configuration Single N-Channel —
MSL لیول 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
FET Type — N-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V min, 4 V max
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
RoHS اسٹیٹس — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں