IRLR2705TRLPBF vs IRFR1205TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLR2705TRLPBF bằng Infineon và IRFR1205TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLR2705TRLPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET (HexFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 28 A | 44 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.0 V (logic-level) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | +/- 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 68 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C | — |
| Hộp | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free, RoHS Compliant | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Cấp MSL | 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V min, 4 V max |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 43.3 nC |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +175C |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |