ISC025N08NM5LF2ATMA1 vs ISZ056N03LF2SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC025N08NM5LF2ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ056N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC025N08NM5LF2ATMA1 | ISZ056N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 LF2 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | 198 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 2.55 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) Max | 3.9 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Max | 96 nC | — |
| Power Dissipation @ TA | 3 W | — |
| Power Dissipation @ TC | 217 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (Surface Mount) | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 C to +175 C |
| Polarity | N-Channel | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Ordering Code Suffix | ATMA1 (Tape & Reel, 13-inch) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | StrongIRFET 2 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 72 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.35 V (typ) |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 5.6 mOhm |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |