ISC058N04NM5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC058N04NM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0902NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC058N04NM5ATMA1 | BSC0902NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 63 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 17 A | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A | 5.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.4 V | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 42 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | -55C to +150C (Tj) |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant | Compliant (Pb-free lead plating) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL per JEDEC J-STD-020 | — |
| Gate Drive Level | Normal Level (10V VGS recommended) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 24 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) @ VGS=10V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Qualification | — | JEDEC qualified for target applications |
| ہیلوجن فری | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |