ISC060N10NM6ATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC060N10NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC123N08NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 - 100V 97A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC060N10NM6ATMA1 | BSC123N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 100 V | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 15 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 97 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typical) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 (thin-wafer trench) | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant with exemption |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 55 A |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 11 A |
| Maximum Pulsed Drain Current | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10 V | — | 12.3 mOhm |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 66 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |