ISC151N08NM6ATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC151N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC151N08NM6ATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 (trench) |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پنز کی تعداد | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| پاور ڈسپیشن (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| پن کی تعداد | — | 9 (with exposed pad) |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |