K4A4G165WD-BCPB vs MT40A256M16GE-075E:B موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A256M16GE-075E:B بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WD-BCPB | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $3.95 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2133 MT/s | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| پیکیج | FBGA-96 | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | D-die | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | — |
| انٹرفیس | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (lead-free suffix) | — |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |