K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BITD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BIWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BITD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | 2666 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| پیکیج | 78-FBGA | 78FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CL value] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 1G x 8 |
| پنز کی تعداد | — | 78 |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| انٹرفیس | — | Parallel |