K4A8G085WC-BCTD vs H5AN8G8NAFR-PBC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN8G8NAFR-PBC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداریخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WC-BCTD | H5AN8G8NAFR-PBC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | آخری بار خریداری | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps (PC4-2133) | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-78 |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| انٹرفیس ٹائپ | Synchronous, parallel | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] |
| انٹرفیس | — | DDR4 (double data rate, synchronized to clock) |
| Address Inputs | — | A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) |
| Connectivity Test Mode | — | TEN (optional input on x4/x8, required on x16) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 / July 2017 |