K4A8G085WC-BCTD vs MT40A1G8SA-062E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A1G8SA-062E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداریخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WC-BCTD | MT40A1G8SA-062E |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | آخری بار خریداری | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps (PC4-2133) | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | BL8, BC4 (burst chop) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| انٹرفیس ٹائپ | Synchronous, parallel | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time (CAS Latency) | — | CL22 at 3200 MT/s |
| Row Access Time | — | 19 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| Internal Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| خصوصیات | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |