K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| انٹرفیس | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2666 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +95C | 0C to +85C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 512M x 16 |
| Die Generation | — | B-die |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |