K4B4G1646D-BHMA vs H5TC4G63AFR-PBA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BHMA بذریعہ Samsung Electronics اور H5TC4G63AFR-PBA بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BHMA | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $3.98 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C (TC) | — |
| CAS لیٹنسی | 13 (at 1866 Mbps) | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| انٹرفیس | — | 16-bit I/O |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |