K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646D-BMH9 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BMK0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BMH9 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BMK0 | K4B4G1646D-BMH9 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps (PC3L-12800) | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to 95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| پیکیج | 96FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (9x13mm) |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Die Version | D-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Number of Functions | 1 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| Number of Banks | — | 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS لیٹنسی | — | Programmable |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |