K4B4G1646D-BPH90 vs K4B4G1646D-BYH90 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BPH90 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BYH90 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH90 K4B4G1646D-BYH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYH90 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BYH90
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
تنظیم 32M x 16 512M x 16
Number of Banks 8 8
ڈیٹا ریٹ 2133 Mb/s per pin 2133 Mbps/pin
سپلائی وولٹیج 1.35V (DDR3L) 1.35V (1.283V to 1.45V)
پیکیج 96FBGA 96-ball FBGA (TFBGA)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to +85°C 0°C to +85°C
CAS لیٹنسی Programmable up to 14 Programmable (e.g., 11, 12, 13)
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes Yes (ODT pin)
ZQ Calibration Yes Yes (240-ohm resistor to ground)
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Lead-Free Yes Yes
ہیلوجن فری Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
I/O Interface — x16
Ball Pitch — 0.8 mm
RoHS — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں