K4B4G1646D-BYH90 vs K4B4G1646D-BFMA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYH90 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BFMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BYH90 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| تنظیم | 512M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.5V |
| I/O Interface | x16 | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| پیکیج | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | 0.8mm |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +85°C | — |
| CAS لیٹنسی | Programmable (e.g., 11, 12, 13) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes (240-ohm resistor to ground) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |