K6X0808C1D-GF70000 vs K6X0808C1D-BF70T موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X0808C1D-GF70000 بذریعہ Samsung Electronics اور K6X0808C1D-BF70T بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 ✓ فعال
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-BF70T
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ DRAM DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
میموری سائز 256 Kbit 256 Kbit
تنظیم 32K x 8 bit —
انٹرفیس Parallel —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage - Min 4.5 V —
Supply Voltage - Max 5.5 V —
Technology Low Power CMOS —
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) 15 bit (A0-A14)
ڈیٹا بس چوڑائی 8 bit (tri-state I/O) 8 bit (I/O0-I/O7)
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Input/Output Levels TTL compatible —
پیکیج 28-SOP 28-SOP
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C (TA)
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Organization — 32K x 8
Memory Interface — Parallel
Write Cycle Time - Word, Page — 70 ns
Voltage - Supply — 4.5 V to 5.5 V
Process Technology — CMOS
I/O Compatibility — TTL compatible
Refresh Requirement — None (fully static operation)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں