K9PKGY8S7M-CCK0 vs K9DVGY8J5M موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K9PKGY8S7M-CCK0 بذریعہ Samsung Electronics اور K9DVGY8J5M بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K9PKGY8S7M-CCK0 K9PKGY8S7M-CCK0 - 128Gb 3D V-NAND MLC Flash | Samsung

K9PKGY8S7M-CCK0 - 128Gb 3D V-NAND MLC Flash | Samsung

K9PKGY8S7M-CCK0 ✓ فعال
Samsung Electronics
K9DVGY8J5M K9DVGY8J5M - Samsung V-NAND TLC Flash Memory Chip | Samsung

K9DVGY8J5M - Samsung V-NAND TLC Flash Memory Chip | Samsung

K9DVGY8J5M ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K9PKGY8S7M-CCK0 K9DVGY8J5M
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Memory Capacity 128 Gb (16 GB) —
میموری ٹائپ NAND Flash —
Cell Architecture 3D V-NAND, MLC (2 bits/cell) —
V-NAND Layers 24 layers —
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
پیکیج BGA —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
انٹرفیس Asynchronous/toggle-mode NAND bus (per Samsung V-NAND family) —
سپلائی وولٹیج [DATA_NEEDED: supply voltage] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS اسٹیٹس Lead free / RoHS compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Application Domain Enterprise SSD (e.g., Samsung 845DC Pro) —
Access Time (tR) [DATA_NEEDED: read cycle time] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention specification] —
Product Type — Raw NAND Flash Memory
NAND Technology — Samsung V-NAND (3D TLC)
Flash ID — EC519A3F8CCB
Density — [DATA_NEEDED: die density (Gb)]
Organization (Page/Block) — [DATA_NEEDED: page and block organization]
انٹرفیس ٹائپ — [DATA_NEEDED: interface (toggle DDR / async)]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC voltage]
Supply Voltage (VCCQ) — [DATA_NEEDED: VCCQ voltage]
Program Page Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: tPROG typical/us]
Block Erase Time (tBERS) — [DATA_NEEDED: tBERS typical/us]
Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: tR typical/us]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance]
Package Type — [DATA_NEEDED: package type and dimensions]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں