MRF5S19100HSR5 vs MRF5S19100HR5 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF5S19100HSR5 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF5S19100HR5 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRF5S19100HSR5 | MRF5S19100HR5 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | Obsolete |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel RF Power MOSFET (LDMOS) | LDMOS (RF Power) |
| Technology | NXP HV5 LDMOS (5th generation, enhancement-mode) | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 65 V (maximum) | — |
| Operating Drain Voltage | 28 V (typical) | — |
| Output Power (Pout) | 22 W (typical average, W-CDMA) | 22 W |
| Test Condition Power | 100 W peak (CW test condition) | — |
| Power Gain (Gp) | 13.9 dB (typical at 1.96 GHz) | — |
| Drain Efficiency | 28 percent (typical, W-CDMA Class-AB) | — |
| Operating Frequency | 1.93 GHz to 1.99 GHz | — |
| Test Frequency | 1.96 GHz | — |
| پیکیج | NI-780S (ceramic, flanged, bolt-down) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Chassis / flange mount with screw | Chassis Mount / Flange |
| Input Impedance | 50 ohm (internally matched) | — |
| Input Bias Type | Class-AB (gate biased above pinch-off) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: rohs status] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40 C to +200 C (junction, with derating) | — |
| Frequency Band | — | 1.93 GHz to 1.99 GHz |
| Power Gain at Test | — | 13.9 dB |
| Drain-Source Voltage Rated (Vdss) | — | 65 V |
| Test Voltage (Vd) | — | 28 V |
| Test Current (Id) | — | 1 A |
| پیکیج / کیس | — | NI-780 (3-pin ceramic flange) |
| Supplier Device Package | — | NI-780 |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Part Status | — | Obsolete |
| Lead Finish | — | [DATA_NEEDED: lead finish] |
| ESD Protection | — | Yes (per datasheet) |
| Channel Temperature (Tj max) | — | [DATA_NEEDED: junction temp absolute maximum] |