MRF6S9130HSR5 vs MRF6S9130HR5 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF6S9130HSR5 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF6S9130HR5 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
NXP Semiconductors
MRF6S9130HR5 - 27W 880MHz LDMOS RF Power Transistor | NXP
MRF6S9130HR5 ⚠ آخری بار خریداریخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRF6S9130HSR5 | MRF6S9130HR5 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | Obsolete | آخری بار خریداری |
| ٹرانزسٹر کی قسم | LDMOS (N-Channel) | N-Channel Enhancement-Mode LDMOS |
| Technology | RF Power MOSFET | LDMOS (Laterally Diffused MOS) |
| Frequency | 880 MHz | — |
| Gain | 19.2 dB | — |
| Output Power (P1dB) | 27 W (CW) | — |
| Test Voltage (Vdd) | 28 V | — |
| Test Current (Idq) | 950 mA | — |
| Voltage Rated (Vdss) | 68 V | — |
| پیکیج / کیس | NI-780S | NI-780H-2L (ceramic flange) |
| Supplier Device Package | NI-780S | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Chassis Mount / Flange | Chassis / Flange Mount |
| Application | N-CDMA, GSM, GSM EDGE base station | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: verify against specific lot] | — |
| Lead Free | Yes (per NXP migration note) | — |
| Part Status | Obsolete - replaced by MRFE6S9130HSR5 (per PCN12895) | — |
| Manufacturer | NXP USA Inc. (formerly Freescale Semiconductor) | — |
| Drain-Source Voltage Rating (VDS) | — | 68 V |
| Operating Drain Voltage (VDD) | — | 28 V typical |
| Test Frequency | — | 880 MHz |
| Operating Frequency Range | — | 865 MHz to 960 MHz |
| Output Power (CW) | — | 27 W |
| Power Gain | — | 19.2 dB |
| Test Bias Current (IDQ) | — | 950 mA |
| Polarity | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement Mode |
| Intended Applications | — | N-CDMA, GSM, GSM EDGE base-station amplifiers |
| Multi-Carrier Capable | — | Yes (MCA) |
| Lead Free Status | — | Lead Free |
| Replacement Note | — | MRF6S9130HR3/HSR3 replaced by MRFE6S9130HR3/HSR3 per PCN12895 |