MRF6S9130HSR5 vs MRF6S9130HR5 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MRF6S9130HSR5 توسط NXP Semiconductors و MRF6S9130HR5 توسط NXP Semiconductors. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

NXP Semiconductors
MRF6S9130HSR5 MRF6S9130HSR5 - 27W 880MHz RF Power LDMOS | NXP

MRF6S9130HSR5 - 27W 880MHz RF Power LDMOS | NXP

MRF6S9130HSR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF6S9130HR5 MRF6S9130HR5 - 27W 880MHz LDMOS RF Power Transistor | NXP

MRF6S9130HR5 - 27W 880MHz LDMOS RF Power Transistor | NXP

MRF6S9130HR5 ⚠ آخرین فرصت خرید

مقایسه مشخصات

پارامتر MRF6S9130HSR5 MRF6S9130HR5
برند NXP Semiconductors NXP Semiconductors
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر Obsolete آخرین فرصت خرید
نوع ترانزیستور LDMOS (N-Channel) N-Channel Enhancement-Mode LDMOS
Technology RF Power MOSFET LDMOS (Laterally Diffused MOS)
Frequency 880 MHz —
Gain 19.2 dB —
Output Power (P1dB) 27 W (CW) —
Test Voltage (Vdd) 28 V —
Test Current (Idq) 950 mA —
Voltage Rated (Vdss) 68 V —
بسته‌بندی / کیس NI-780S NI-780H-2L (ceramic flange)
Supplier Device Package NI-780S —
نوع نصب Chassis Mount / Flange Chassis / Flange Mount
Application N-CDMA, GSM, GSM EDGE base station —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: verify against specific lot] —
Lead Free Yes (per NXP migration note) —
Part Status Obsolete - replaced by MRFE6S9130HSR5 (per PCN12895) —
Manufacturer NXP USA Inc. (formerly Freescale Semiconductor) —
Drain-Source Voltage Rating (VDS) — 68 V
Operating Drain Voltage (VDD) — 28 V typical
Test Frequency — 880 MHz
Operating Frequency Range — 865 MHz to 960 MHz
Output Power (CW) — 27 W
Power Gain — 19.2 dB
Test Bias Current (IDQ) — 950 mA
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement Mode
Intended Applications — N-CDMA, GSM, GSM EDGE base-station amplifiers
Multi-Carrier Capable — Yes (MCA)
Lead Free Status — Lead Free
Replacement Note — MRF6S9130HR3/HSR3 replaced by MRFE6S9130HR3/HSR3 per PCN12895

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت